標稱頻率

晶體技術條件中規定的頻率，通常標識在產品外殼上。

工作頻率

晶體與工作電路共同產生的頻率。

調整頻差

在規定條件下，基準溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。

溫度頻差

在規定條件下，在工作溫度范圍內相對于基準溫度（25±2℃）時工作頻率的允許

偏差。

老化率

在規定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為

年老化率。

靜電容

等效電路中與串聯臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。

負載電容

與晶體一起決定負載 諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。

負載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

只要可能就應選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

負載諧振頻率

在規定條件下，晶體與一負載電容相串聯或相 并聯，其組合阻抗呈現為

電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯 負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。

動態電阻

串聯 諧振頻率下的 等效電阻。用R1表示。

負載 諧振電阻

在負載諧振頻率時呈現的等效電阻。用RL表示。

RL=R1（1+C0/CL）2

激勵電平

晶體工作時所消耗功率的表征值。

激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等

基頻

在振動模式最低階次的 振動頻率。

泛音

晶體振動的機械 諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數倍但不是整數倍，這是它與電氣諧波的主要區別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。